技術指標

準確度： Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）

tgδ:

±（讀數(shù)×1%+0.00040）

抗干擾指標：變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達到上述準確度

變頻介質損耗 介損測試儀技術測試電容量范圍： 內施高壓： 3pF～60000pF/10kV

60pF～1μF/0.5kV

外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV

60pF～30μF/0.5kV

分辨率： 0.001pF，4位有效數(shù)字

tgδ范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動識別。

變頻介質損耗 介損測試儀技術測試試驗電流范圍：10μA～5A

內施高壓： 設定電壓范圍：0.5～10kV

輸出電流：200mA

升降壓方式： 連續(xù)平滑調節(jié)

電壓精度： ±(1.5%×讀數(shù)+10V)

電壓分辨率： 1V

試驗頻率： 45、50、55、60、65Hz單頻

5/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動雙變頻

頻率精度： ±0.01Hz

外施高壓： 正接線時試驗電流1A，工頻或變頻40-70Hz

反接線時試驗電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz

CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A

測量時間： 約40s，與測量方式有關

輸入電源： 180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市電或發(fā)電機供電

計算機接口： 標準RS232接口

打印機： 煒煌A7熱敏微型打印機

環(huán)境溫度： -10℃～50℃

相對濕度： <90%

功能特點

變頻抗干擾

采用變頻抗干擾技術，在200%干擾下仍能準確測量，測試數(shù)據(jù)穩(wěn)定，適合在現(xiàn)場做抗干擾介損試驗。

高精度測量

采用數(shù)字波形分析和電橋自校準等技術，配合高精度三端標準電容器，實現(xiàn)高精度介損測量。

儀器所有量程輸入電阻低于2Ω，消除了測量電纜附加電容的影響。

多級安全保護，確保人身和設備安全

高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能以短路方式高速切斷輸出。

低壓保護：誤接380V、電源波動或突然斷電，啟動保護，不會引起過電壓。

接地保護：儀器接地不良使外殼帶危險電壓時，啟動接地保護。

C V T：高壓電壓和電流、低壓電壓和電流四個保護限，不會損壞設備；誤選菜單不會輸出激磁電壓。CVT測量時無10kV高壓輸出。

防誤操作：兩級電源開關；電壓、電流實時監(jiān)示；多次按鍵確認；接線端子高/低壓分明；緩速升壓，可迅速降壓，聲光報警。

防“容升”：測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。

抗震性能：儀器采用*抗震設計，可耐受強烈長途運輸震動、顛簸而不會損壞。

高壓電纜：為耐高壓絕緣導線，可拖地使用。

功能強大，產(chǎn)品系列化

（1）具有正/反接線，內/外標準電容，內/外高壓多種工作模式，一體化結構，可做各種常規(guī)介損試驗，不需外接任何輔助設備。

（2）液晶顯示，菜單操作，測試數(shù)據(jù)豐富，自動分辨電容、電感、電阻型試品，自帶微型打印機可打印輸出。

（3）具有外接標準電容器接口，可外接油杯做精密絕緣油介損試驗，可外接固體材料測量電極做精密絕緣材料介損試驗，也可外接高壓標準電容器做高電壓介損試驗。

（4）自動識別50Hz

/ 60Hz系統(tǒng)電源，并支持發(fā)電機供電，即使頻率波動大，也可正常測量。

（5）內置串聯(lián)和并聯(lián)兩種介損測量模型，方便儀器檢定。

（6）可存儲255組測量數(shù)據(jù)。

（7）CVT自激法測量時，C1/C2可一次接線同時測出，自動補償母線接地和標準電容器的分壓影響，無須換線和外接任何配件。

（8）中文圖文菜單，大屏幕背光LCD顯示更清晰，電流電壓實時監(jiān)視。

（9）優(yōu)化的電路設計，使正/反接線的準確度和穩(wěn)定性*。

（10）自動識別外接高壓試驗電源頻率40Hz～70Hz，支持工頻電源、變頻電源和串聯(lián)諧振電源做大容量高電壓介損試驗。

（11）具有反接線低壓屏蔽功能，在220kVCVT母線接地情況下，對C11可進行不拆線10kV反接線介損測量。

（12）帶計算機接口。通過該接口，實現(xiàn)測量、數(shù)據(jù)處理和報表輸出，也可實現(xiàn)儀器內部測量軟件升級?？杉傻骄C合高壓試驗車上。

（13）配置熱敏打印機，使打印更加快捷、無噪音和清晰。

（14）增加回路接觸不良放電提示功能，以方便判別接線是否可靠。

（15）增強反接線低壓屏蔽功能，可一次接線同時測出兩個電容的電容量和介損值。

（16）增加CVT變比功能，可測量CVT變比和相位誤差。